用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的μModule 稳压器 工作在 3.3VIN 至 15VIN 并可安放在 0.5cm2 PCB 面积内

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路输出µModule (电源模块) 稳压器 LTM4632，用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电：VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。 LTM4632 采用一个微型、轻量和超薄的 LGA 封装 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)，其可焊接在 PCB 的背面，配合 采用一个电阻器和三个电容器时，占板面积仅为 0.5cm2 (双面) 或 1cm2 (单面)。一个 LTM4632 能提 供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ)，所以两个并联的 LTM4632 能够为较大的存储器组提供高达每电源轨 6A。对于 超过 6A 的 VDDQ，LTM4632 可配置为与 LTM4630 一起给大型 SRAM 阵列提供介于 18A 和 36A 之间的 VDDQ。 如果 VDDQ 已经可用，则可配置 LTM4632 以提供一个高达 6A 的两相单路 VTT 输出。

LTM4632 可 采用一个 3.3V 的低输入电源、以及标准的 5V 和 12V 输入 (最高 15V) 工作 。两个输出电压 (VDDQ 和 VTT) 的范围均 为 0.6V 至 2.5V。第三个输出是一个用于 SRAM 之 VTTR 的低噪声 10mA 缓冲输出。应用包括 PCIe、基于云的系统、 RAID、视频处理和采用这些 SRAM 的网络：DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR- II / QDR-II+ 和 QDR4。

LTM4632 包含一个三路输 出 DC/DC 稳压器、电压除二电路、电源开关、电感器和支持组件，采用了紧凑和超薄的封装。LTM4632 的额定工作温度范围 为 -40°C 至 125°C。E 级版本的千片批购价为每片 7.35 美元，而 I 级版本的千片批购价则为每片 8.09 美元。如需更多信息， 请登录 www.linear.com.cn/product/LTM4632。

用于 DDR-QDR4 存储器电源的超薄µModule 稳压器

性能概要：LTM4632

占板面积为 1cm2 (单面 PCB) 或 0.5cm2 (双面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存储器电源解决方案

3A VDDQ + 3A VTT 或两相单路 6A VTT

宽输入电压范围：3.6V (VIN 连接至 INTVCC) 至 15V

0.6V 至 2.5V 输出电压范围

±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出

外部频率同步

超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装

本文给出的美国报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。