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三菱电机的最新开发的Smart-1系列IGBT模块,采用第6代CSTBTTM硅片技术和自动压接装配技术。模块的饱和压降低,功率损耗低,且硅片结温可高达175°C,硅片运行温度最高可达150 °C。
Smart-1系列IGBT模块主要应用于工业变频电机驱动和伺服驱动,已开发出的模块电路拓扑有两种,一种是整流逆变制动的CIB(Converter Inverter Brake),另一种是6合1模块。其中,CIB模块的电流/电压等级有15A~35A/1200V,6合1模块的电流/电压等级有25A~50A/1200V。
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摘自《自动化博览》2011年第七期
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