商安森美半导体（ON Semiconductor）扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列，推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。

    ESD7L5.0D采用极小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封装，保护每条线路0.5皮法（pF）电容的两条高速数据线路。将安森美半导体的低电容技术集成至3引脚封装为设计人员提供以单个器件保护USB2.0端口D+和D-线路的解决方案。ESD7L5.0D也能够连接阴极至阴极，保护0.25 pF电容的一条双向线路，非常适用于保护高频射频（RF）天线线路。 

    NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封装，保护每条线路0.7 pF的4条高速数据线路和2条Vcc电源线路。使设计人员能够采用单个集成器件保护两个USB端口上的D+和D-线路及Vcc线路。

    这两款新器件的主要特点，都来自安森美半导体傲视同侪的专有技术。ESD7L5.0D和NUP4212能够将15千伏（kV）的输入ESD波形在数纳秒（ns）内钳位至低于7伏（V），确保当今的对ESD敏感的集成电路（IC）具有最高水平的保护。诸如聚合物和陶瓷压敏电阻等其它低电容片外ESD保护技术也提供低电容，但它们的ESD钳位电压远高于安森美半导体的解决方案。此外，安森美半导体这些硅器件没有无源技术的磨损问题，在经受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不会受到影响。

    安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“安森美半导体推出针对高速数据应用的超低电容产品，持续扩大我们在高性能ESD保护解决方案的领先地位。下一代便携应用需要在越来越高的数据率下具有更高的性能和更大的设计灵活性。安森美半导体不断配合这个趋势，推出完整的低电容ESD保护解决方案系列。”

    采用这个技术平台的首款产品ESD9L5.0S以技术、应用和设计创新方面的巨大进步而荣获美国《Electronic Products》杂志以及中国《今日电子》杂志各颁发2007“年度产品”奖。